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    電感耦合等離子體刻蝕ICP

    簡要描述:v兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

    基礎信息

    產品型號

    廠商性質

    代理商

    更新時間

    2024-10-22

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    詳細介紹

    v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

    v 電極的適用溫度范圍寬,-150°C400°C

    v ICP源尺寸為65mm180mm300mm

    v 應用方向:

    ? III-V族材料的刻蝕工藝

    ? 固體激光器InP刻蝕

    ? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

    ? 射頻器件低損傷GaN刻蝕

    ? Bosch和超低溫刻蝕工藝

    ? 類金剛石(DLC)沉積

    ? 二氧化硅和石英刻蝕

    ? 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓

    ? 沉積高質量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子學、電介質層、鈍化等諸多其它用途

    ? 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕


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