簡(jiǎn)要描述：搭載場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng) 將島津EPMA分析性能發(fā)揮到超高分辨率面分析對(duì)碳膜上Sn球放大3萬(wàn)倍進(jìn)行面分析

搭載場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng)

將島津EPMA分析性能發(fā)揮到

超高分辨率面分析

對(duì)碳膜上Sn球放大3萬(wàn)倍進(jìn)行面分析。即使是SE圖像（左側(cè)）上直徑只有50nm左右的Sn顆粒，在X射線圖像（右側(cè)）上也是清晰可見(jiàn)。

■ 大束流超高靈敏度分析
實(shí)現(xiàn)3.0μA（加速電壓30kV）的束流。
全束流范圍無(wú)需更換物鏡光闌。

■ 最多可同時(shí)搭載5通道高性能4英寸X射線譜儀
無(wú)人可及的52.5°X射線取出角。4英寸羅蘭圓半徑兼顧高靈敏度與高分辨率。
最多可同時(shí)搭載5通道相同規(guī)格的X射線譜儀。

■ 全部分析操作簡(jiǎn)單易懂
全部操作僅靠一個(gè)鼠標(biāo)就可進(jìn)行的可操作性。
追求「易懂」的人性化用戶(hù)界面。

搭載導(dǎo)航模式，自動(dòng)指引直至生成報(bào)告。

■ 的空間分辨率

EPMA可達(dá)到的別的二次電子圖像分辨率3nm（加速電壓30kV）分析條件下的二次電子分辨率。（加速電壓10kV時(shí)20nm@10nA/50nm@100nA/150nm@1μA）

■ 二次電子圖像分辨率3nm
碳噴鍍金顆粒的觀察實(shí)例。實(shí)現(xiàn)分辨率
3nm（@30kV）。相對(duì)較高的束流也可將電子束壓

細(xì)聚焦，更加容易的獲得高分辨率的SEM圖像

超高靈敏度面分析

使用1μA束流對(duì)不銹鋼進(jìn)行5000倍的面分析。精確地捕捉到了Cr含量輕微不同形成的不同的相（左側(cè)），同時(shí)也成功地將含量不足0.1%的Mn分布呈現(xiàn)在我們眼前（右側(cè)）。

實(shí)現(xiàn)微區(qū)超高靈敏度分析的技術(shù)

1　高亮度肖特基發(fā)射體
場(chǎng)發(fā)射電子槍采用的肖特基發(fā)射體比一般傳統(tǒng)SEM使用的發(fā)射體針尖直徑更大，輸出更高。即可以保持其高亮度，還可提供高靈敏度分析的穩(wěn)定大電流。

2　 EPMA專(zhuān)用電子光學(xué)系統(tǒng)
電子光學(xué)系統(tǒng)，聚光透鏡盡可能的接近電子槍一側(cè)，交叉點(diǎn)不是靠聚光透鏡形成，而是由安裝在與物鏡光闌相同位置上，具有獨(dú)立構(gòu)成與控制方式的可變光闌透鏡來(lái)形成交叉點(diǎn)的（日本：第4595778號(hào)）。簡(jiǎn)單的透鏡結(jié)構(gòu)，既能獲得大束流，同時(shí)全部電流條件下設(shè)定最合適的打開(kāi)角度，將電子束壓縮到最細(xì)。當(dāng)然是不需要更換物鏡光闌的。

3　超高真空排氣系統(tǒng)
電子槍室、中間室、分析腔體之間分別安裝有篩孔（orifice）間隔方式的2級(jí)差動(dòng)排氣系統(tǒng)。中間室與分析腔體間的氣流孔做到最小，以控制流入中間室的氣體，使電子槍室始終保持著超高真空，確保發(fā)射體穩(wěn)定工作。

4　高靈敏度X射線譜儀
最多可同時(shí)搭載5通道兼顧高靈敏度與高分辨率的4英寸X射線譜儀。52.5°的X射線取出角在提高了X射線信號(hào)的空間分辨率的同時(shí)，又可減小樣品對(duì)X射線的吸收，實(shí)現(xiàn)高靈敏度的分析。